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J-GLOBAL ID:201002262490125512   整理番号:10A0319623

バナジウムの低配位数・無電荷ニトリド錯体

Low-Coordinate and Neutral Nitrido Complexes of Vanadium
著者 (5件):
資料名:
巻: 132  号:ページ: 1458-1459  発行年: 2010年02月10日 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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V≡N結合を有する末端ニトリド-V(V)錯体について,分子設計と合成,分子構造,配位構造,結晶構造的な特性化などにより検討した。[(nacnac)VCl{N(MesまたはTol)Tol}]とNaN3との溶液内反応(N2を放出)による[(nacnac)V(≡N){N(MesまたはTol)Tol}]は四面体型V(V)中心にニトリドが配位した混合配位子反磁性錯体であり,V(III)-アジド錯体の[(nacnac)V(N3){N(Tol)2}]中間体を経由して生成する。V(V)-ニトリド錯体の化学的な酸化還元特性(V(V)-V(III)二電子移動),V(III)-アジド中間体からV(V)-ニトリド錯体へのN2放出を伴う熱的転換の速度論的,機構的な様相を推測し(活性化パラメータなど),末端ニトリド配位子がπ-酸(CO,CN{2,6-Me2C6H3など)との付加反応でV(III)への還元とN=C結合形成(カルボジイミド錯体生成)を行うことを明らかにした(nacnac={ArNCMe}2CH-,Ar=2,6-(CHMe2)C6H3)。
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分類 (1件):
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第4族,第5族元素の錯体 
物質索引 (3件):
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