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J-GLOBAL ID：201002262647450994   整理番号：10A0641075

テルルの支援によって実現されたN-ドープZnOにおけるp型伝導

Tellurium assisted realization of p-type N-doped ZnO

著者 (7件)： TANG Kun (Nanjing National Lab. of Microstructures, School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093 ...) ,  GU Shulin (Nanjing National Lab. of Microstructures, School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093 ...) ,  WU Kongping (Nanjing National Lab. of Microstructures, School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093 ...) ,  ZHU Shunming (Nanjing National Lab. of Microstructures, School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093 ...) ,  YE Jiandong (Nanjing National Lab. of Microstructures, School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093 ...) ,  ZHANG Rong (Nanjing National Lab. of Microstructures, School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093 ...) ,  ZHENG Youdou (Nanjing National Lab. of Microstructures, School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing 210093 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 24  ページ： 242101  発行年： 2010年06月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着過程においてテルルを同時ドープすることによってNのドープされたZnOにおけるp型伝導を増大する有効な方法について報告する。テルルはN_Oアクセプタの形成エネルギーを低下させる界面活性剤として働き,窒素の混入係数を増大させるものと考えられる。更に,この同時ドーピング法はドナー型の炭素に関係する複合体の形成を抑制する重要な効果を持つことが分かった。正孔キャリア濃度の増大はドーパントの溶解度の増大に関する明確な証拠で,Te-Nの同時ドーピング法はp型のZnOを実現するための有効な技術であることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ドーピング ,  窒素 ,  テルル ,  P型半導体 ,  MOCVD ,  *半導体薄膜 ,  電気伝導率 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  *アクセプタ ,  複合欠陥 ,  界面活性剤 ,  X線回折 ,  X線光電子スペクトル ,  溶解度 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 共ドーピング

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： テルル ,  支援 ,  ドープ ,  ZnO ,  P型伝導