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J-GLOBAL ID：201002262720457838   整理番号：10A0402493

1.2V 12nm読み出しアクセス時間および1MBs書込みスループットを備えた90n,4Mb埋込み型相転移メモリ

A 90nm 4Mb Embedded Phase-Change Memory with 1.2V 12ns Read Access Time and 1MB/s Write Throughput

著者 (13件)： DE SANDRE Guido (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  BETTINI Luca (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  PIROLA Alessandro (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  MARMONIER Lionel (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  PASOTTI Marco (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  BORGHI Massimo (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  MATTAVELLI Paolo (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  ZULIANI Paola (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  SCOTTI Luca (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  MASTRACCHIO Gianfranco (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  BEDESCHI Ferdinando (Numonyx, Agrate Brianza, ITA) ,  GASTALDI Roberto (Numonyx, Agrate Brianza, ITA) ,  BEZ Roberto (Numonyx, Agrate Brianza, ITA)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2010  ページ： 360-362  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能性および高信頼性を実現しながら優れた費用効果性が要求されているePCM(埋込み型PCM(相転移メモリ))について検討し,1.2V 12nm読み出しアクセス時間および1MBs書込みスループットを備えた90n,4Mb埋込み型相転移メモリを作成した。ここでは,90nm先進的CMOSプラットフォームの中でマクロを設計した。書込み回路とともに書込み手法を開発した。ディジタルコントローラの中で,電力節約型低並列性書込み手法の実装も行った。これにより,ここで開発した90nm 4Mb ePCMマクロを開発し,制限されたプロセスオーバーヘッドとのPCM統合の実現可能性を示した。また,ダイマイクログラフを示すとともに,マクロサイズが3mm²になることを示した。

シソーラス用語： *記憶装置 ,  スループット ,  埋込み【挿入】 ,  *半導体プロセス ,  CMOS構造 ,  不揮発性メモリ ,  記憶素子 ,  マイクロ化 ,  省エネルギー ,  並列処理 ,  相転移
準シソーラス用語： *CMOSプロセス ,  マイクログラフ ,  メモリセル ,  省電力 ,  *相転移メモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 読み出し ,  アクセス ,  書込み ,  スループット ,  埋込み ,  相転移メモリ