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J-GLOBAL ID：201002262798780244   整理番号：10A0894692

連続的な絶縁破壊を示す構造を基本とするシリコンシャープナによる超高出力のピコ秒電流スイッチング

Ultrahigh-Power Picosecond Current Switching by a Silicon Sharpener Based on Successive Breakdown of Structures

著者 (4件)： LYUBUTIN S. K. (Inst. of Electrophysics, Russian Acad. of Sci., Yekaterinburg, RUS) ,  RUKIN S. N. (Inst. of Electrophysics, Russian Acad. of Sci., Yekaterinburg, RUS) ,  SLOVIKOVSKY B. G. (Inst. of Electrophysics, Russian Acad. of Sci., Yekaterinburg, RUS) ,  TSYRANOV S. N. (Inst. of Electrophysics, Russian Acad. of Sci., Yekaterinburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 7  ページ： 931-937  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続的な絶縁破壊を示す構造から成るシリコンシャープナーによる超高出力のピコ秒電流スイッチ素子の作製とその動作特性を,実験および理論の両面から研究した結果を報告する。このスイッチング機構は同軸線の中に組み込まれた素子の構造全域に亘って不均一に分布する入力電圧パルスに因るものである。実験的には50Ωの伝送ライン内に位置する44個の直列接続されたダイオード構造を含む半導体素子に,立ち上がり時間が400psで,振幅が180kVの電圧パルスを印加した。スイッチング素子が作動すると,伝送ラインには立ち上がり時間が100psで,振幅が150kVの電圧パルスが現れることが分かった。数値シミュレーションから,ダイオードが10¹¹cm^-3程度の深い不純物を含んでいる場合でも,入力電圧の立ち上がり時間が1構造当たり4×10¹³V/s以上になると,p-n接合近傍の電場はZener絶縁破壊のしきい電場(10⁶/cm)に到達することが分かった。

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  *波形成形器 ,  ピコ秒 ,  *スイッチング素子 ,  同軸線路 ,  伝送線路 ,  *電圧 ,  ダイオード ,  計算機シミュレーション ,  深い準位 ,  不純物準位 ,  時間 ,  パルス特性 ,  電場 ,  SOS構造 ,  Zener効果 ,  固体プラズマ
準シソーラス用語： *シャープナ ,  電流スイッチ ,  入力電圧 ,  パルス電圧 ,  立上り時間 ,  しきい電場 ,  *電圧パルス

分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁破壊 ,  高出力 ,  ピコ秒 ,  電流スイッチング