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J-GLOBAL ID：201002262814159032   整理番号：10A0702855

マルチレベル相変化メモリセルにおける非晶質部分の推定

Estimation of amorphous fraction in multilevel phase-change memory cells

著者 (7件)： PAPANDREOU N. (IBM Res. - Zuerich, CH-8803 Rueschlikon, CHE) ,  PANTAZI A. (IBM Res. - Zuerich, CH-8803 Rueschlikon, CHE) ,  SEBASTIAN A. (IBM Res. - Zuerich, CH-8803 Rueschlikon, CHE) ,  ELEFTHERIOU E. (IBM Res. - Zuerich, CH-8803 Rueschlikon, CHE) ,  BREITWISCH M. (IBM T.J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Rd, Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  LAM C. (IBM T.J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Rd, Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  POZIDIS H. (IBM Res. - Zuerich, CH-8803 Rueschlikon, CHE)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 9  ページ： 991-996  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気測定により相変化メモリセルの能動素子内の非晶質カルコゲナイド部分の実効厚を推定した。各種中間セル状態において得られた電流-電圧特性を文献のトラップ制限サブスレショルドモデルに当てはめてから,非晶質部分厚を抽出した。抵抗やしきい値電圧などいくつかのセル電気測度は推定パラメータに密接に関係することを示した。この結果は相変化メモリセルの活性層における直列相分布とともにトラップ制限伝導モデルの更なる検証に役立つ。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *非晶質 ,  カルコゲン化物 ,  水準 ,  記憶素子 ,  不揮発性メモリ ,  相転移 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： サブスレショルド ,  トラップ【固体】 ,  マルチレベル ,  *メモリセル ,  *相変化メモリ ,  閾値電圧

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： マルチレベル ,  相変化メモリ ,  セル ,  非晶質 ,  推定