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J-GLOBAL ID：201002262847023225   整理番号：10A0860116

空間電荷分極を利用した不揮発性有機メモリー

An organic nonvolatile memory using space charge polarization of a gate dielectric

著者 (3件)： 村田英幸 (北陸先端科学技術大学院大) ,  酒井平祐 (北陸先端科学技術大学院大) ,  今野広大 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 123(EID2010 1-7)  ページ： 19-22  発行年： 2010年07月05日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機電界効果型トランジスターの絶縁層として,polymethylmethacryrate(PMMA)中にイオン性化合物(10-methyl-9-phenylacridinium perchlorate(MPA⁺ClO₄^-)を分散したイオン分散型絶縁層を用いた。この絶縁層に電圧を印加すると,それぞれMPA⁺とClO₄^-イオンが電界によってPMMA層中で偏在し,その結果形成された空間電荷分極によってトランジスターの閾値電圧の制御が可能であることを示した。さらに絶縁層を分極させる事によってGate電圧(Vg)=OVにおけるSource-Drain電流値が6桁以上増加する事を利用して,新規な不揮発性メモリーを提案した。(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  *不揮発性メモリ ,  分極 ,  空間電荷
準シソーラス用語： 空間電荷分極 ,  *有機FET ,  *有機不揮発性メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (12件)：

• 1) NABER R. C. G. Nat. Mater.. (2005) vol.4, p.243.
• 2) GELINCK G. H. All-polymer ferroelectric transistors. Appl. Phys. Lett.. (2005) vol.87, no.9, p.092903(3).
• 3) NARAYANAN K. N. A nonvolatile memory element based on an organic field-effect transistor. Appl. Phys. Lett.. (2004) vol.85, p.1823(3).
• 4) REP D. B. A. Mobile ionic impurities in organic semiconductors. J. Appl. Phys.. (2003) vol.93, p.2082.
• 5) PANZER M. J. Low-voltage operation of a pentacene field-effect transistor with a polymer electrolyte gate dielectric. Appl. Phys. Lett.. (2005) vol.86, p.103503.

タイトルに関連する用語 (3件)： 空間電荷分極 ,  不揮発性 ,  メモリー