文献

J-GLOBAL ID：201002262873443020   整理番号：10A0188941

Sr_1-xBi_2+(2/3)x(V_xTa_1-x)₂O₉[x=0,0.1,0.2]セラミクスの微細構造,誘電およびインピーダンス特性に関する調査

Investigation on microstructure, dielectric and impedance properties of Sr_1-x Bi_2+(2/3)x (V _x Ta_1-x )₂O₉ [x =0, 0.1 and 0.2] ceramics

著者 (4件)： SRIDARANE R. (Dep. of Chemistry, Perunthalaivar Kamarajar Inst. of Engineering and Technol., Karaikal, Puducherry, IND) ,  SUBRAMANIAN S. (Dep. of Chemistry, Pondicherry Engineering Coll., Puducherry 605 014, IND) ,  JANANI N. (Dep. of Physics, Pondicherry Engineering Coll., Puducherry 605 014, IND) ,  MURUGAN R. (Dep. of Physics, Pondicherry Engineering Coll., Puducherry 605 014, IND)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 492  号： 1-2  ページ： 642-648  発行年： 2010年03月04日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究ではSr_1-xBi_2+(2/3)x(V_xTa_1-x)₂O₉(x=0.1,0.2)の置換によるSrBi₂Ta₂O₉(SBT)の誘電特性高揚に勤しんだ。本研究で調製したセラミック試料の構造的,微細構造的,誘電的およびインピーダンス特性はXRD(X線回折),SEM(走査電子顕微鏡)およびインピーダンス分光法にてキャラクタリゼーションした。XRD調査ではSr_1-xBi_2+(2/3)x(V_xTa_1-x)₂O₉[x=0.1,0.2]はSBTに比べて格子定数がやや増していた。SEM調査ではSr_1-xBi_2+(2/3)x(V_xTa_1-x)₂O₉においてx(x=0,0.1,0.2)を増すと粒の成長および板形構造への形状変化が増大することが分った。本研究で調査したSr_1-xBi_2+(2/3)x(V_xTa_1-x)₂O₉セラミック試料においてx(x=0,0.1,0.2)を増すとキュリー温度が上昇しかつキュリー温度におけるピーク誘電定数が上昇するのが観測された。調査した組成の中で最大ピーク誘電定数が観測されたのはX=0.2のSr_1-xBi_2+(2/3)x(V_xTa_1-x)₂O₉セラミックである。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ストロンチウム化合物 ,  タンタル酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  *置換 ,  *バナジウム ,  微細構造 ,  誘電性 ,  インピーダンス ,  格子定数 ,  Curie温度 ,  誘電率 ,  セラミック
準シソーラス用語： *ストロンチウムビスマスタンタル酸塩

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： セラミクス ,  微細構造 ,  インピーダンス特性 ,  調査