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J-GLOBAL ID：201002262945690701   整理番号：10A0780199

n型シリコン上に電着したZnO薄膜の構造および形態学的研究

Structural and morphological study of ZnO thin films electrodeposited on n-type silicon

著者 (9件)： AIT AHMED N. (Lab. de Technol. des materiaux et Genie des Procedes : Equipe d’electrochimie - Corrosion Univ. Abderrahmane Mira ...) ,  AIT AHMED N. (Unite de Developpement de la Technol. du Silicium, 02 Bd Frantz Fanon, B.P. 140, Alger 7 Merveilles, Alger, DZA) ,  FORTAS G. (Unite de Developpement de la Technol. du Silicium, 02 Bd Frantz Fanon, B.P. 140, Alger 7 Merveilles, Alger, DZA) ,  HAMMACHE H. (Lab. de Technol. des materiaux et Genie des Procedes : Equipe d’electrochimie - Corrosion Univ. Abderrahmane Mira ...) ,  SAM S. (Unite de Developpement de la Technol. du Silicium, 02 Bd Frantz Fanon, B.P. 140, Alger 7 Merveilles, Alger, DZA) ,  KEFFOUS A. (Unite de Developpement de la Technol. du Silicium, 02 Bd Frantz Fanon, B.P. 140, Alger 7 Merveilles, Alger, DZA) ,  MANSERI A. (Unite de Developpement de la Technol. du Silicium, 02 Bd Frantz Fanon, B.P. 140, Alger 7 Merveilles, Alger, DZA) ,  GUERBOUS L. (Centre de Rech. Nucleaire d’Alger, DZA) ,  GABOUZE N. (Unite de Developpement de la Technol. du Silicium, 02 Bd Frantz Fanon, B.P. 140, Alger 7 Merveilles, Alger, DZA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 24  ページ： 7442-7445  発行年： 2010年10月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究において,我々はn-Si (100)およびガラス基板上のZnO薄膜の電着について報告する。ZnO薄膜の形態における堆積時間の影響を調査した。ZnO薄膜はX線回折(XRD),エネルギー分散X線(EDS)および走査型電子顕微鏡(SEM)により特性評価した。その結果は10分でのメイン(002)から15分での完全な(101)へZnO特性の変化を示した。フォトルミネッセンス(PL)研究は,UV (~382nm)および青色(~432nm)ルミネッセンス両方が電着されたZnO膜に関しての主な発光であることを示した。さらに,15分成長した膜は10分成長した膜と比較して黄-緑色(~520nm)発光バンドの明らかな減少を示した。最終的に,透過スペクトルは可視光波長範囲において最大85%の高い透過率を示した。そのような結果はソーラーセル応用への非常に興味深いでしょう。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ケイ素 ,  *電着 ,  基板 ,  N型半導体 ,  ガラス ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  X線回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *光ルミネセンス ,  紫外線 ,  青色光 ,  太陽電池 ,  形態

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： N型シリコン ,  電着 ,  ZnO薄膜 ,  形態学 ,  研究