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J-GLOBAL ID：201002262963871055   整理番号：10A0994324

水素化された擬孤立グラフェンのバンドギャップ調節

Tunable Band Gap in Hydrogenated Quasi-Free-Standing Graphene

著者 (16件)： HABERER D. (IFW Dresden, Dresden, DEU) ,  VYALIKH D. V. (TU Dresden, Dresden, DEU) ,  TAIOLI S. (Univ. Trento, Trento, ITA) ,  DORA B. (Budapest Univ. Technol. and Economics, Budapest, HUN) ,  FARJAM M. (Inst. for Res. in Fundamental Sci. (IPM), Tehran, IRN) ,  FINK J. (IFW Dresden, Dresden, DEU) ,  FINK J. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Berlin, DEU) ,  MARCHENKO D. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Berlin, DEU) ,  PICHLER T. (Univ. Vienna, Wien, AUT) ,  ZIEGLER K. (Univ. Augsburg, Augsburg, DEU) ,  SIMONUCCI S. (Univ. Camerino, Camerino, ITA) ,  DRESSELHAUS M. S. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts) ,  KNUPFER M. (IFW Dresden, Dresden, DEU) ,  BUECHNER B. (IFW Dresden, Dresden, DEU) ,  GRUENEIS A. (IFW Dresden, Dresden, DEU) ,  GRUENEIS A. (Univ. Augsburg, Augsburg, DEU)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 9  ページ： 3360-3366  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni(111)基板上に化学蒸着によりグラフェンを成長させた。金蒸着/熱処理によりグラフェン/Ni層間に金単分子層を形成し,グラフェンを擬孤立状態にした。水素原子ビームによりグラフェンを水素化した。X線光電子スペクトル,X線吸収端微細構造によりキャラクタリゼーションを行った。発光スペクトルの角度依存性を調べ,水素化率によりバンドギャップを1eVまで調節できることを見出した。状態密度計算結果と実測を比較した。アニーリングにより可逆的にグラフェンが再生された。水素貯蔵のモデル系としての利用を示唆した。

シソーラス用語： *グラファイト ,  化学蒸着 ,  ニッケル ,  蒸着 ,  熱処理 ,  単分子層 ,  *水素化 ,  X線光電子スペクトル ,  XANES ,  *発光スペクトル ,  *バンドギャップ ,  状態密度 ,  焼なまし ,  可逆変化 ,  炭素化合物 ,  水素化物 ,  グラフェン ,  *水素貯蔵材料
準シソーラス用語： X線吸収端微細構造 ,  アニーリング ,  グラファン

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  電子構造一般  (BM02010K) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素化 ,  グラフェン ,  バンド ,  ギャップ調節