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J-GLOBAL ID：201002263048492740   整理番号：10A0731637

サブ2μm CMOSイメージセンサ用の零間隙マイクロレンズに適用するグレースケールリソグラフィー工程の研究

Grayscale lithography process study applied to zero-gap microlenses for sub 2μm CMOS image sensors

著者 (15件)： AUDRAN S. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  VAILLANT J. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  FARYS V. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  HIRIGOYEN F. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  HUSS E. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  MORTINI B. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  COWACHE C. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  BERTHIER L. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  MORTINI E. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  FANTUZ J. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  ARNAUD O. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  DEPOYAN L. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  SUNDERMANN F. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  BARON C. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  REYNARD J-P. (STMicroelectronics, Crolles, FRA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7639  号： Pt.1  ページ： 763910.1-763910.11  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSイメージセンサはマイクロレンズアレイを用いて入射光をフォトダイオードに集光する。零間隙マイクロレンズ工程により光子収集効率が向上する。そのための簡潔な方法は光学密度が変化するグレースケールレチクルを利用することである。ポジ型フォトレジストを用いて直径≦2μmのマイクロビームを発生させるグレースケールリソグラフィーの効率を示した。また,この方法がレジストと工程に依存することを示した。最良の条件下で,満足の行く工程許容度で零間隙の球面マイクロレンズと非球面及び軸外マイクロレンズを得た。

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  *マイクロレンズ ,  グレースケール ,  レチクル ,  フォトレジスト ,  ビーム ,  非球面レンズ ,  フォトリソグラフィー
準シソーラス用語： *CMOSイメージセンサ ,  ポジ型フォトレジスト ,  マイクロビーム

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  CMOSイメージセンサ ,  間隙 ,  マイクロレンズ ,  研究