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J-GLOBAL ID：201002263119373615   整理番号：10A0826548

強誘電性FETのメモリ応用

Ferroelectric Field Effect Transistors for Memory Applications

著者 (7件)： HOFFMAN Jason (Yale Univ., CT, USA) ,  PAN Xiao (Yale Univ., CT, USA) ,  REINER James W. (Yale Univ., CT, USA) ,  WALKER Fred J. (Yale Univ., CT, USA) ,  HAN J. P. (Infineon, NY, USA) ,  AHN Charles H. (Yale Univ., CT, USA) ,  MA T. P. (Yale Univ., CT, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 26/27  ページ： 2957-2961  発行年： 2010年07月20日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電性膜の分極に基づく二種のDRAM用キャパシタレスメモリ素子を開発した。SrBi₂Ta₂O₉(SBT)強誘電性膜の両面を絶縁膜で挟んで電流損失を防止し,ケイ素基板上のソース・ドレイン電極および上部のゲート電極を設置した強誘電性電場効果トランジスタ(feFET)はオンオフ比>10⁵,保持時間30日を達成したが,駆動電圧は±10Vで実用的ではない。酸化物(La_1-xCa_xMnO₃)チャンネル上に強誘電性単結晶(SBTまたはPZT)を成長させ,チャンネル上に4個の制御電極,上部にゲート電極を形成した金属-絶縁体転移メモリ素子は保持時間が改善され,駆動電圧(1V)が低い。

シソーラス用語： *強誘電性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *DRAM ,  *ストロンチウム化合物 ,  *タンタル酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  絶縁膜 ,  ウエハ【IC】 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電極 ,  比率 ,  保持時間 ,  電圧 ,  酸化物 ,  ランタン化合物 ,  カルシウム化合物 ,  マンガン酸塩 ,  単結晶 ,  *金属-絶縁体転移
準シソーラス用語： *FeFET ,  *PZT【鉛化合物】 ,  *SBT ,  オンオフ比 ,  ケイ素基板 ,  ゲート電極 ,  駆動電圧 ,  混合酸化物

分類 (4件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 強誘電性 ,  FET ,  応用