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J-GLOBAL ID：201002263122252985   整理番号：10A0164522

InGaAs/GaAs量子ドットにおける電気的に調整可能な励起子g因子の観測

Observation of an electrically tunable exciton g factor in InGaAs/GaAs quantum dots

著者 (10件)： KLOTZ F. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  JOVANOV V. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  KIERIG J. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  CLARK E. C. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  RUDOLPH D. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  HEISS D. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  BICHLER M. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  ABSTREITER G. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  BRANDT M. S. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU) ,  FINLEY J. J. (Walter Schottky Inst., Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 5  ページ： 053113  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フラッシュ被覆成長法により成長させた自己集合InGaAs/GaAs量子ドットにおける励起子g因子と微細構造分裂の電場依存性を,光電流及び光ルミネセンス実験により調べた。微細構造とZeeman分裂両方が,量子ドット成長方向に電場をかけて広範囲に調整可能である。g因子は,g=0.12から0.42まで250%のと調整可能性を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *量子ドット ,  *励起子 ,  *g因子 ,  自己集合 ,  超微細相互作用 ,  電場効果 ,  光電流 ,  光ルミネセンス ,  Zeeman効果

分類 (1件)： 励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  励起子 ,  g因子 ,  観測