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J-GLOBAL ID：201002263421460330   整理番号：10A0322149

HfO₂/In_0.53Ga_0.47As界面での捕獲状態密度の解析

Analysis of trap state densities at HfO₂/In_0.53Ga_0.47As interfaces

著者 (4件)： HWANG Yoontae (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA) ,  ENGEL-HERBERT Roman (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA) ,  RUDAWSKI Nicholas G. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA) ,  STEMMER Susanne (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 10  ページ： 102910  発行年： 2010年03月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n及びp型In_0.53Ga_0.47As上に化学ビーム堆積によりHfO₂を堆積した。コンダクタンス法により広い温度範囲で(77~300K)界面捕獲密度(D_it)及びエネルギー準位分布を定量化した。固有エネルギー準位に近い捕獲準位はD_itを約10¹³cm^-2eV^-1に増加させた。中間ギャップでの捕獲準位は室温でn型チャネルの容量-電圧特性に擬似反転応答を生じる。バンド端に近接したD_itの見掛けの減少について論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  *絶縁材料 ,  *酸化ハフニウム ,  *誘電体薄膜 ,  基板 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  界面 ,  捕獲中心 ,  エネルギー準位 ,  *MOS構造 ,  分散【dispersion】 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 蓄積容量 ,  周波数分散

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： HfO2 ,  界面 ,  捕獲 ,  状態密度 ,  解析