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J-GLOBAL ID：201002263502217457   整理番号：10A0093798

柔軟なマイクロモルフa-Si/μc-Siタンデム太陽電池

Flexible micromorph tandem a-Si/μc-Si solar cells

著者 (4件)： SOEDERSTROEM T. (Photovoltaics and Thin Film Electronics Lab., Inst. of Microengineering (IMT), Ecole Polytechnique Federale de ...) ,  HAUG F.-j. (Photovoltaics and Thin Film Electronics Lab., Inst. of Microengineering (IMT), Ecole Polytechnique Federale de ...) ,  TERRAZZONI-DAUDRIX V. (Photovoltaics and Thin Film Electronics Lab., Inst. of Microengineering (IMT), Ecole Polytechnique Federale de ...) ,  BALLIF C. (Photovoltaics and Thin Film Electronics Lab., Inst. of Microengineering (IMT), Ecole Polytechnique Federale de ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 1  ページ： 014507  発行年： 2010年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質(a-Si:H)と微結晶(μc-Si:H)のタンデム薄膜シリコン太陽電池(マイクロモルフ)の積層には,単一接合a-Si:Hセルを得るため少なくとも2回の蒸着が必要である。しかしながら,マイクロモルフデバイスはμc-Si:Hのより広い吸収スペクトルのおかげでより高い潜在的な効率を持っている。高い効率は,μc-Si:Hセルのナノクラックおよびa-Si:Hセルの光誘起劣化を低減することによってのみ達成できる。従って,μc-Si:Hセルは大きな周期(>1μm)をもつ滑らかな基板上で,そしてa-Si:Hセルはa-Si:H材料の弱い吸収スペクトルにおいて光を強く散乱するためにより小さなサイズ(~350nm)の鋭いピラミッド上で成長させなければならない。本研究で導入した非対称の中間反射器(AIR)はタンデムマイクロモルフ太陽電池の成長と光散乱の問題を切り離す。タンデムn-i-p/n-i-pマイクロモルフの安定化した効率はAIRのないセルに比べて15%,a-Si:H単一接合太陽電池に比べ32%相対的に増加している。全部のプロセス(T<200°C)は低価格のプラスチック基板と互換性を持っている。ポリエチレンナフタレートプラスチック基板上に蒸着したセルの最も安定化した効率はV_oc,1sun,および50°Cでの光照射1000時間後において9.8%である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  積層構造 ,  *非晶質 ,  *微結晶 ,  ケイ素 ,  効率 ,  ポリエチレンナフタレート ,  プリント基板 ,  反射体 ,  *タンデム太陽電池 ,  高分子基板
準シソーラス用語： プラスチック基板

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  タンデム太陽電池