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J-GLOBAL ID：201002263621160994   整理番号：10A1134935

絶縁性シリコン内にバリスティックに注入された電子の磁気電流

Magnetocurrent of ballistically injected electrons in insulating silicon

著者 (2件)： JANG Hyuk-jae (Dep. of Physics, Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742, USA) ,  APPELBAUM Ian (Dep. of Physics, Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 18  ページ： 182108  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全に絶縁体であるアンドープのシリコンチャンネルを通過する横方向の伝導を実現するバリスティックなホットエレクトロンの注入によって,オーミックな磁気抵抗の測定では一般的に除外される磁場誘起による電荷輸送の抑制を研究できる。印加磁場が2Tで,45Kにおいて16000%以上の極端に大きな磁気電流変化が観測され,その微分低下率は6.2T^-1以上であることが分かった。本稿では,温度依存性,静電バックゲート依存性,および印加磁場の角度依存性を示す。この現象は非平衡キャリアの注入によって生成された希薄二次元電子ガスにおける強い空間電荷効果に帰せられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  電気絶縁 ,  弾道電子 ,  *バリスティック輸送 ,  *電流 ,  ホットエレクトロン ,  *磁気抵抗効果 ,  磁場 ,  温度依存性 ,  キャリア注入 ,  二次元電子ガス ,  空間電荷 ,  トンネル接合
準シソーラス用語： 絶縁性 ,  バリスティック電子 ,  *スピン電流 ,  バックゲート

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁性 ,  シリコン ,  バリ ,  スティック ,  注入 ,  電子 ,  磁気