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J-GLOBAL ID：201002263797665294   整理番号：10A0201703

酸素雰囲気中におけるその場アニーリングによる多結晶酸化タングステン薄膜の持つ再現性の優れた抵抗スイッチング特性の改善

Improvement of reproducible resistance switching in polycrystalline tungsten oxide films by in situ oxygen annealing

著者 (7件)： SHANG D. S. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190 ...) ,  SHI L. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190 ...) ,  SUN J. R. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190 ...) ,  SHEN B. G. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics and Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190 ...) ,  ZHUGE F. (Ningbo Inst. of Materials Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sciences, Ningbo, Zhejiang 315201, People’s ...) ,  LI R. W. (Ningbo Inst. of Materials Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sciences, Ningbo, Zhejiang 315201, People’s ...) ,  ZHAO Y. G. (Dep. of Physics and State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, Tsinghua Univ., Beijing 100084, People’s ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 7  ページ： 072103  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶の酸化タングステン薄膜における電場誘起の抵抗スイッチング動作を研究した。堆積したままの薄膜に比べて,酸素雰囲気中でアニーリングした薄膜は,より安定なスイッチング動作を示し,低抵抗/高抵抗比が大きく,また優れた耐久性と保持性を持つことが分かった。X線光電子放出の解析から,抵抗スイッチングは表面状態における電子の捕獲/解離による界面障壁ポテンシャルの変化に起因し,表面状態密度の減少によってスイッチング特性が改善されることが分かった。本研究から,表面の修正は抵抗スイッチング特性を制御する有効な方法であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 雰囲気 ,  酸素 ,  焼なまし ,  *酸化タングステン ,  多結晶 ,  薄膜 ,  *スイッチング ,  耐久性 ,  X線光電子スペクトル ,  表面準位 ,  状態密度 ,  ポテンシャル障壁 ,  界面 ,  キャリア捕獲 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸素雰囲気 ,  アニーリング ,  多結晶 ,  酸化タングステン ,  薄膜 ,  再現性 ,  スイッチング特性