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J-GLOBAL ID：201002263871337989   整理番号：10A0918192

半導体ヘテロ構造のバンドオフセット:ハイブリッド密度汎関数による研究

Band offsets of semiconductor heterostructures: A hybrid density functional study

著者 (3件)： WADEHRA Amita (Dep. of Physics, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  NICKLAS Jeremy W. (Dep. of Physics, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  WILKINS John W. (Dep. of Physics, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 9  ページ： 092119  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体合金から成るヘテロ構造のバンドオフセットを計算するためのHeyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE06)ハイブリッド汎関数の精度について議論する。本研究の主題は標準的な密度汎関数理論に基づかないで伝導帯オフセットを精度良く計算することである。特別な準ランダム構造は成長方向が(001)のヘテロ構造を構築するための無限ランダム擬二元合金のモデルとなる。様々なヘテロ構造に関して得られた結果は,高性能の電気素子およびオプトエレクトロニクス素子のバンド工学に関連するHSE06を確立することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  *バンドオフセット ,  密度汎関数法 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  *バンド構造 ,  オプトエレクトロニクス ,  Hartree-Fock法 ,  Kohn-Sham方程式 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 密度汎関数

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ構造 ,  バンドオフセット ,  密度汎関数 ,  研究