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J-GLOBAL ID：201002263897536696   整理番号：10A0851747

SCN^-アニオンによって誘起されたAlの均一腐食と孔食プロセスをコントロールする新しい合成グリシン誘導体 化学的,電気化学的及び形態学的研究

A newly synthesized glycine derivative to control uniform and pitting corrosion processes of Al induced by SCN^- anions - Chemical, electrochemical and morphological studies

著者 (2件)： AMIN Mohammed A. (Dep. of Chemistry, Fac. of Sci., Ain Shams Univ., 11566 Abbassia, Cairo, Egypt) ,  AMIN Mohammed A. (Materials and Corrosion Lab (MCL), Chemistry Dep., Fac. of Sci., Taif Univ., 888 Hawiya, SAU)
資料名： Corrosion Science  (Corrosion Science)
巻： 52  号： 10  ページ： 3243-3257  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： B0135B  ISSN： 0010-938X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しく合成したグリシン誘導体(GlyD),2-(4-(ジメチルアミノ)ベンジルアミノ)酢酸塩酸塩を25°Cの0.50MKSCN溶液中のAlの均一腐食と孔食プロセスを抑制するために用いた。全面腐食抑制研究ではTafel外挿,直線分極抵抗とインピーダンス法及び補助的にSEM観測を用いた。化学分析方法であるICP-AES(誘導結合プラズマ原子発光分光)もTafel外挿法で得られた腐食速度を確認するために用いた。全面腐食に対するGlyDの腐食抑制効率は5×10^-3Mの低濃度で97%に達した。異なった腐食評価法から得られた結果は良く一致した。新しく合成したグリシン誘導体を用いて孔食Al表面の核形成と成長のコントロール状況をサイクリック分極,定電位と定電流法で研究した。孔食電位(E_pit)と再不動態化電位(E_rp)はGlyD添加と共に増大した。このようにGlyDは孔食の核形成と伝播を抑制した。孔食の核形成は潜伏時間(t_i)後に起きることがわかった。孔食核形成と成長速度は抑制剤濃度の増加と共に減少した。孔食形態もまた印加アノード電位と溶液温度の関数として研究した。孔食表面の断面観察から大きく歪んだ半球状で狭くて深い孔食を確認した。GlyDはGlyよりもこのような溶液中のAlの全面腐食と孔食腐食プロセスをコントロールするために遥かに優れていた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アルミニウム ,  孔食 ,  全面腐食 ,  *腐食抑制剤 ,  アミノ酸 ,  分極抵抗 ,  インピーダンス法【腐食】 ,  Tafel式 ,  腐食速度 ,  *シアン化物 ,  カリウム化合物 ,  硫黄化合物
準シソーラス用語： *グリシン誘導体

分類 (1件)： 防食  (WB03040M)

物質索引 (1件)： [[4-(ジメチルアミノ)ベンジル]アミノ]酢酸

タイトルに関連する用語 (12件)： アニオン ,  誘起 ,  Al ,  均一腐食 ,  孔食 ,  プロセス ,  コントロール ,  グリシン誘導体 ,  化学 ,  電気化学 ,  形態学 ,  研究