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J-GLOBAL ID：201002264056234012   整理番号：10A0710422

光電気化学エッチングにより作製した静電駆動単結晶SiCブリッジ構造

Fabrication of electrostatic-actuated single-crystalline SiC bridge structures by using photoelectrochemical etching

著者 (3件)： 渡辺直樹 (京大) ,  木本恒暢 (京大) ,  須田淳 (京大)
資料名： 電気学会マイクロマシン・センサシステム研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： MSS-10  号： 1-6.8-16.18-30  ページ： 5-8  発行年： 2010年06月17日 
JST資料番号： L2898B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC紫外線照射を行って電子・正孔対を生成し,電気化学的にエッチングを行う光電気化学(PEC)エッチング,反応性イオンエッチング(RIE),ならびに熱酸化を組合わせて,単結晶4H-SiCのみで構成されたMEMSの基本構造である中空に浮いたブリッジ構造を作製するとともに,ブリッジ-底面間に電圧を印加して,静電駆動実験を行った。作製したデバイスの構造を示し,10~20Vの電圧を印加したときのブリッジの変形を光学顕微鏡で観察した結果について述べ,その原因を考察した。変形は十分とは言えず,静電駆動のためにはより大きな印加電圧が必要と考えられる。

シソーラス用語： イオンエッチング ,  *エッチング ,  熱酸化 ,  単結晶 ,  炭化ケイ素 ,  *MEMS ,  電圧依存性 ,  駆動方式 ,  *静電気応用 ,  光電気化学反応 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： 静電気力

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• W. Lang: “Silicon microstructuring technology”, Mater. Sci. Eng. R., Vol.17, No.1, pp. 1-51(1996).
• M. Mehregany, C. A. Zorman, S. Roy, A. J. Fleischman, C.-H. Wu and N. Rajan: “Silicon carbide for microelectromechanical systems”, International Materials Reviews, Vol.45, No.3, pp. 85-108(2000).
• S. Roy, R. G. DeAnna, C. A. Zorman, and M. Mehregany “Fabrication and characterization of polycrystalline SiC resonators”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol.49, No.12, pp. 2323-2332(2002).
• A. Klumpp, U. Schaber, H. L. Offereins, K. Kuhl, and H. Sandmaier: “Amorphous silicon carbide and its application in silicon micromachining”, Sens. Actuators A, Vol.41, No.1-3, pp. 310-316(1994).
• J. S. Shor, R. M. Osgood, and A. D. Kurtz: “Photoelectrochemical conductivity selective etch stops for SiC”, Appl. Phys. Lett., Vol.60, No.8, pp. 1001-1003(1992).

タイトルに関連する用語 (4件)： 光電気化学エッチング ,  作製 ,  静電駆動 ,  ブリッジ