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J-GLOBAL ID:201002264119274400   整理番号:10A0952265

化学蒸着によるグラフェンのウエハ-規模合成および水素センサにおける応用

Wafer-scale synthesis of graphene by chemical vapor deposition and its application in hydrogen sensing
著者 (16件):
資料名:
巻: 150  号:ページ: 296-300  発行年: 2010年09月21日 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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環境圧力下での化学蒸着により,Cu箔上に大面積を持つグラフェンを合成した。4′′×4′′グラフェン膜を,熱的に成長した酸化物膜で6′′Siウエハ上に転写した。Ramanマッピングから,単層グラフェンが転写グラフェン膜を支配することが判明した。水素検出のために堆積した1nmパラジウム膜を有する4mm×3mmサイズのグラフェン膜上にガスセンサを作製した。グラフェン-系ガスセンサを試験するために,0.0025~1%(25~10000ppm)の濃度を有する空気中の水素を用いた。パラジウム-修飾グラフェン膜に基づくガスセンサは,高感度,高速応答と回復を示し,複数回の利用が可能であった。水素検出の機構についても考察した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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