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J-GLOBAL ID：201002264335074831   整理番号：10A0725056

3電位パルス電着法による未熱処理CuInSe₂膜微細構造の促進

Enhancement in as-grown CuInSe₂ film microstructure by a three potential pulsed electrodeposition method

著者 (5件)： PALACIOS-PADROS A. (Dep. of Physical Chemistry, Univ. of Barcelona(UB), Inst. for Bioengineering of Catalonia(IBEC) Marti i Franques 1 ...) ,  CABALLERO-BRIONES F. (Dep. of Physical Chemistry, Univ. of Barcelona(UB), Inst. for Bioengineering of Catalonia(IBEC) Marti i Franques 1 ...) ,  CABALLERO-BRIONES F. (CIBER-BBN, Maria de Luna 11, 50018 Zaragoza, ESP) ,  SANZ Fausto (Dep. of Physical Chemistry, Univ. of Barcelona(UB), Inst. for Bioengineering of Catalonia(IBEC) Marti i Franques 1 ...) ,  SANZ Fausto (CIBER-BBN, Maria de Luna 11, 50018 Zaragoza, ESP)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 12  号： 8  ページ： 1025-1029  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電着法によってITO基板上にp-型二セレン化インジウム銅(CuInSe₂)膜を調製した。この方法では,各元素Cu,Se及びInの析出電位の電位パルスを順に印加し,次に電位を循環式に戻して元素間の固相反応を誘導した。2つの電解質濃度ならびに3つの異なるパルス長を評価した。得られた膜を一定の電極電位で析出させた膜と比較した。未熱処理膜はナノ結晶であり,~0.95eVのE_gを有した。Raman分光法によるとパルス長が増加し,電解質濃度が減少するとSe及びCu-Se含有率が減少した。低電解質濃度で成長した膜の場合にはCu-Se相が存在さえしなかった。これらの結果は,析出後処理の必要性を低下させる膜相純度の大きな改善を表していた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電着 ,  *セレン化インジウム銅 ,  微細構造 ,  酸化インジウムスズ ,  濃度依存性 ,  パルス幅 ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： *パルス電着 ,  ITO ,  パルス長

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電位 ,  パルス電着 ,  熱処理 ,  微細構造 ,  促進