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J-GLOBAL ID：201002264391360898   整理番号：10A0554808

室温のVO₂における抵抗スイッチングのナノスケールイメージングと制御

Nanoscale imaging and control of resistance switching in VO₂ at room temperature

著者 (5件)： KIM Jeehoon (Dep. of Physics, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  KO Changhyun (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  FRENZEL Alex (Dep. of Physics, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  RAMANATHAN Shriram (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  HOFFMAN Jennifer E. (Dep. of Physics, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 21  ページ： 213106  発行年： 2010年05月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイアス導電性原子間力顕微鏡チップを用いたVO₂膜の制御局所相スイッチングを実証した。初期の高「トレーニング」電圧の印加後,抵抗遷移は繰り返し電圧掃引に集中するIVループのヒステリシスである。絶縁体-金属転移を開始する閾値V_setは室温で約5Vのオーダーにあり,低温で増加する。粒子間のV_setの大きな変化を画像化した。このイメージング法は,VO₂における相転移の微視的機構の理解および固体素子へのその可能な関連の可能性を広げる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 室温 ,  *酸化バナジウム ,  *スイッチング ,  ナノ構造 ,  *画像処理 ,  制御 ,  バイアス ,  導電性 ,  原子間力顕微鏡 ,  チップ ,  薄膜 ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  ヒステリシス ,  金属-絶縁体転移 ,  閾値 ,  低温 ,  可視化 ,  固体素子
準シソーラス用語： *イメージング ,  *抵抗スイッチング

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 室温 ,  VO2 ,  抵抗スイッチング