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J-GLOBAL ID：201002264606122020   整理番号：10A0490269

高応答の圧電薄膜の低温堆積

Low-temperature deposition of high-response piezoelectric thin films

著者 (3件)： SRIRAM S. (Microelectronics and Materials Technol. Centre and the Platform Technologies Res. Inst., School of Electrical and ...) ,  BHASKARAN M. (Microelectronics and Materials Technol. Centre and the Platform Technologies Res. Inst., School of Electrical and ...) ,  MITCHELL A. (Microelectronics and Materials Technol. Centre and the Platform Technologies Res. Inst., School of Electrical and ...)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 63  号： 2  ページ： 189-191  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般的なジルコニウム酸チタン酸鉛にストロンチウムを添加すると,圧電応答特性が改善される。これらの薄膜をシリコン基材の上に300°Cの低温で合成した。推定圧電係数(d₃₃)を測定した結果,892pmV^-1の高い応答性が得られた。強いc-軸集合組織と格子ガイド効果を示す微細組織を調べた結果についても説明した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 応答 ,  *低温 ,  *蒸着 ,  圧電気 ,  *薄膜 ,  ストロンチウム ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  RFスパッタリング ,  ナノインデンテーション ,  圧電材料 ,  *誘電体薄膜 ,  結晶 ,  ドーピング ,  化学合成 ,  係数 ,  定数
準シソーラス用語： *圧電応答 ,  圧電係数 ,  *圧電薄膜 ,  低温合成

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 応答 ,  圧電薄膜 ,  低温 ,  堆積