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J-GLOBAL ID：201002264611325592   整理番号：10A0728565

効率低下の少ないInGaN/GaN自己組織化量子ドット緑色発光ダイオード

InGaN/GaN self-organized quantum dot green light emitting diodes with reduced efficiency droop

著者 (3件)： ZHANG Meng (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Center for Nanoscale Photonics and Spintronics, Univ. of Michigan ...) ,  BHATTACHARYA Pallab (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Center for Nanoscale Photonics and Spintronics, Univ. of Michigan ...) ,  GUO Wei (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Center for Nanoscale Photonics and Spintronics, Univ. of Michigan ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 1  ページ： 011103  発行年： 2010年07月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度(2-5×10¹⁰cm^-2)自己組織化InGaN/GaN自己組織化量子ドットをプラズマ支援分子ビームエピタクシー(MBE)により成長させた。室温光ルミネセンスは量子ドットが430~524nmを強く発光することを示した。500nmで発光する量子ドットの内部量子効率を温度依存光ルミネセンス測定から32%と決定した。時間分解した光ルミネセンス測定から再結合寿命を0.57nsと推定した。これらの優れた性質は量子ドット中の小さな圧電場に起因した。InGaN/GaN量子ドットから作製し,λ=524nmを発光する発光ダイオードは電流入射による青方偏移は小さく,効率低下が少ない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  量子ドット ,  *緑 ,  窒化ガリウム ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  インジウム化合物 ,  自己組織化 ,  プラズマCVD ,  光ルミネセンス ,  量子効率 ,  寿命 ,  キャリア再結合 ,  青方偏移 ,  エネルギー変換効率
準シソーラス用語： 内部量子効率 ,  再結合寿命 ,  発光効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 効率低下 ,  InGaN ,  GaN ,  自己組織化 ,  量子ドット ,  緑色発光ダイオード