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J-GLOBAL ID:201002264631761518   整理番号:10A1045786

有機相補形トランジスタの電気特性および安定性の解析

Analyses of Electrical Properties and Stability of Organic Complementary Transistors
著者 (7件):
資料名:
巻: 157  号: 10  ページ: H959-H963  発行年: 2010年 
JST資料番号: C0285A  ISSN: 1945-7111  CODEN: JESOAN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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n-型シリコン/SiO2(厚さ300nm)上にポリイミド(PI)をスピンコーティングして二重層誘電体を形成させた後にp-型有機半導体ペンタセンとn-型有機半導体N,N′-ジドデシル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミドとを別々に熱蒸着した。この上にドレインおよびソース電極としてAgを析出させ,相補形有機トランジスタ(OCT)を作製した。ゲート幅および長さは有機半導体の特性に合せて相対的に調整した。OCTのしきい値電圧およびヒステリシスはPI層中の空間電荷距離に応じて減少し,空間電荷モデルによって説明することができた。
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分類 (2件):
分類
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四環以上の炭素縮合多環化合物  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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