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J-GLOBAL ID：201002264835229238   整理番号：10A0117887

連続流化学蒸着プロセスを使ったTiClベースTiN膜における性質と電気性能の改善

Improvement of the properties and electrical performance on TiCl₄-based TiN film using sequential flow chemical vapor deposition process

著者 (6件)： CHENG Ming-da (Macronix International Co., LTD., No. 16, Li-Hsin Road, Sci. Park, Hsin-chu, Taiwan, TWN) ,  LUOH Tuung (Macronix International Co., LTD., No. 16, Li-Hsin Road, Sci. Park, Hsin-chu, Taiwan, TWN) ,  SU Chin-ta (Macronix International Co., LTD., No. 16, Li-Hsin Road, Sci. Park, Hsin-chu, Taiwan, TWN) ,  YANG Ta-hung (Macronix International Co., LTD., No. 16, Li-Hsin Road, Sci. Park, Hsin-chu, Taiwan, TWN) ,  CHEN Kuang-chao (Macronix International Co., LTD., No. 16, Li-Hsin Road, Sci. Park, Hsin-chu, Taiwan, TWN) ,  LU Chih-yuan (Macronix International Co., LTD., No. 16, Li-Hsin Road, Sci. Park, Hsin-chu, Taiwan, TWN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 8  ページ： 2285-2289  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応物としてTiCl₄/NH₃を使った連続流化学蒸着(SFCVD)と膜堆積後の即時NH₃処理によって,接触プロセスにおけるTiN障壁を作製した。二次イオン質量分析結果から,SFCVD TiN膜がW堆積中の下地Ti層中へのWF₆の拡散を高効率で阻止しうることが明らかになった。膜堆積後直ぐにNH₃処理すると,金属有機化学蒸着(MOCVD)によって作製されたTiN膜よりも炭素汚染が少なく,低反応温度でさえ汎用TiCl₄/NH₃ CVD TiN層よりも塩素残留物の少ないSFCVD TiN膜が得られることが分かった。Kelvin接触抵抗測定によると,SFCVD工程は,MOCVDまたはCVD工程よりも低い抵抗と高い均一分布をもたらした。透過型電子顕微鏡観察によって,WF₆がMOCVD TiNを通って下地Ti層と反応し,Ti/TiN界面を破壊し,W付着力を弱めることが確証された。SFCVD TiN膜はW CVD堆積中のWF₆侵入に対する十分な拡散障壁としての役割を果たした。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  チタン ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  *拡散障壁 ,  *タングステン ,  *メタライゼーション ,  化学蒸着 ,  MOCVD ,  不純物分布 ,  二次イオン質量分析 ,  Kelvin法 ,  *接触抵抗 ,  半導体金属接合 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  付着力
準シソーラス用語： Si基板 ,  *窒化チタン ,  *連続流化学蒸着

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 連続流 ,  化学蒸着プロセス ,  TiN膜 ,  性質 ,  電気性能