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J-GLOBAL ID：201002265078408177   整理番号：10A0933152

真空蒸発InTe二層薄膜のACと誘電性特性

AC and dielectric properties of vacuum evaporated InTe bilayer thin films

著者 (4件)： MATHESWARAN P. (PG and Res., Dep. of Physics, Kongunadu Arts and Sci. Coll. (Autonomous), GN Mills (po), Coimbatore 641 029, Tamil ...) ,  SATHYAMOORTHY R. (PG and Res., Dep. of Physics, Kongunadu Arts and Sci. Coll. (Autonomous), GN Mills (po), Coimbatore 641 029, Tamil ...) ,  SARAVANAKUMAR R. (PG and Res., Dep. of Physics, Kongunadu Arts and Sci. Coll. (Autonomous), GN Mills (po), Coimbatore 641 029, Tamil ...) ,  VELUMANI S. (Dep. of Electrical Engineering (SEES), CINVESTAV-IPN Zacatenco, D.F., 07360, MEX)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 174  号： 1-3  ページ： 269-272  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-VI化合物半導体はメモリ素子,切換装置,ガスセンサ,ハイブリッド太陽電池などにおける適用により,かなりの関心が寄せられている。InTe薄膜が,アルゴン雰囲気で,InとTeの連続した熱蒸発で調製された。膜のエックス線回折像は,膜がIn₂Te₃とIn₂Te₅の混合相を呈していることを示している。粒径(D)と転位密度が,Scherer公式を使用して計算された。膜の表面形態がSEMにより分析され,表面はよく定義された粒の凝集であると判明した。EDS分析は,元素組成が正しい化学量論であるのを明示している。キャパシタンスは,全温度で周波数増加により減少することが観測された。キャパシタンスの観測された性質は,急速に変化する電場で,方向に対する双極子の無能力のためである。低い頻度領域に向かったキャパシタンスの著しい増加は,キャパシタンスの増加をもたらす空間電荷層につながる電極の荷電粒子のブロッキングの結果かもしれない。AC伝導を担うメカニズムは電子ホッピングであると判明した。CCとTCP値が計算され,結果が議論される。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 薄膜 ,  *テルル ,  *インジウム ,  誘電性 ,  *誘電体薄膜 ,  *化合物半導体 ,  X線回折 ,  転位密度 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  走査電子顕微鏡 ,  *静電容量 ,  化学量論
準シソーラス用語： 誘電性薄膜 ,  EDS【分光分析】 ,  SEM【顕微鏡】 ,  キャパシタンス

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 真空蒸発 ,  薄膜 ,  Ac ,  誘電性特性