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J-GLOBAL ID：201002265083978747   整理番号：10A0386367

InP Gunnダイオードによる480GHz発振器

480GHz oscillator with an InP Gunn device

著者 (1件)： EISELE H. (Univ. Leeds, Leeds, GBR)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 46  号： 6  ページ： 422-423  発行年： 2010年03月18日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP Gunnデバイスからの3次高調波抽出実験が最近報告されている。この実験においては,Gunnダイオードを基本波と第2高調波に対して仮想的にリアクティブ終端するためにWR-1.7→3の導波管変換テーパを用いている。この導波管変換テーパはほぼ305GHz以下の信号を十分阻止しているため,第2高調波モードの性能を持つGunnデバイスの評価は,ほぼ460GHz以下の周波数に限定されている。ここでは,InP Gunnデバイスに対してWR-6導波管キャビティを用い,基本波と第2高調波を阻止するために,2つのバックツーバック導波管変換テーパ,即ちWR-3→1.5 及びWR-1.7→3,また基本波に対するリアクティブ終端位置を最適化するためにWR-6導波管スペーサを用いた。スペーサの厚みを350μmとすることにより,発振器は479.01GHzにおいてRF出力85μWが得られた。

シソーラス用語： *高周波発振器 ,  サブミリ波 ,  リン化インジウム ,  Gunnダイオード ,  高調波フィルタ
準シソーラス用語： InP ,  テーパ導波路

分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： InP ,  Gunnダイオード ,  発振器