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J-GLOBAL ID：201002265105156410   整理番号：10A0731594

CD-SEMにおける非常に小さなラインパターンのCDバイアス削減:モデルベースライブラリマッチング法を使った側壁形状測定

CD bias reduction in CD-SEM of very small line patterns: sidewall shape measurement using model-based library matching method

著者 (3件)： SHISHIDO Chie (Hitachi Ltd., Yokohama, JPN) ,  TANAKA Maki (Hitachi High-Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  OSAKI Mayuka (Hitachi Ltd., Yokohama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7638  号： Pt.2  ページ： 76383I.1-76383I.13  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CD(クリティカルディメンション)バイアスは実際の値とCD測定値との差である。本稿は15nmよりも狭い線幅のCDバイアスを減らすことを目的とする。今バイアスはパターンエッジにおける二次電子信号ブルーム(blooms)が原因で生じる。測定したSEMイメージ波形をシミュレート波形のライブラリと比較して,目標パターンの寸法と形状を予測するモデルベースライブラリ(MBL)マッチング法を二つの方法で修正を加え,非常に小さなパターン測定を正確に出来るようにした。第一の修正はライブラリへの線幅変動の導入であり,第二の修正は信号強度変換に関連するMBLツールパラメータの固定である。この修正によって解空間が狭まり,測定安定性が改善された。修正MBLマッチングを実際のSEMイメージに適用してその有効性を検証した。パターン高さに対するCDバイアスは0.5nmであり,CDに関連するCDバイアスの傾斜は3%以下である。

シソーラス用語： *走査電子顕微鏡 ,  半導体プロセス ,  *長さ測定 ,  データベース ,  原子間力顕微鏡 ,  シミュレーション ,  均一性 ,  長さ ,  *リソグラフィー ,  形状測定
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  CD-SEM【顕微鏡】 ,  クリティカルディメンジョン ,  モデルベース ,  モンテカルロシミュレーション

分類 (2件)： 電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cd ,  バイアス ,  側壁 ,  形状測定