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J-GLOBAL ID：201002265925855096   整理番号：10A1539318

分子線エピタクシーによって成長した希薄InAsNの構造と光学特性

Structural and optical properties of dilute InAsN grown by molecular beam epitaxy

著者 (15件)： IBANEZ J. (Inst. Jaume Almera, Consell Superior d’Investigacions Cientifiques (CSIC), Lluis Sole i Sabaris s.n, 08028 ...) ,  OLIVA R. (Inst. Jaume Almera, Consell Superior d’Investigacions Cientifiques (CSIC), Lluis Sole i Sabaris s.n, 08028 ...) ,  DE LA MARE M. (Dep. of Physics, Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR) ,  SCHMIDBAUER M. (Leibniz Inst. for Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, DEU) ,  HERNANDEZ S. (Dep. of Electronics, MIND-IN2UB, Univ. of Barcelona, Marti i Franques 1, 08028 Barcelona, Catalonia, ESP) ,  PELLEGRINO P. (Dep. of Electronics, MIND-IN2UB, Univ. of Barcelona, Marti i Franques 1, 08028 Barcelona, Catalonia, ESP) ,  SCURR D. J. (School of Pharmacy, Univ. of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, GBR) ,  CUSCO R. (School of Physics and Astronomy, Univ. of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, GBR) ,  ARTUS L. (School of Physics and Astronomy, Univ. of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, GBR) ,  SHAFI M. (School of Physics and Astronomy, Univ. of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, GBR) ,  MARI R. H. (School of Physics and Astronomy, Univ. of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, GBR) ,  HENINI M. (School of Physics and Astronomy, Univ. of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, GBR) ,  ZHUANG Q. (Dep. of Physics, Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR) ,  GODENIR A. (Dep. of Physics, Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR) ,  KRIER A. (Dep. of Physics, Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 10  ページ： 103504  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs基板に分子線エピタクシーによって成長したInAs_1-xN_xエピ層(x≦2.2%)の構造と光学キャラクタリゼーションを実行した。高分解能X線回折(HRXRD)を用いて,結晶品質と試料の歪状態に関する情報を得て,膜のN含有量を決定した。二つの研究試料の組成は飛行時間二次イオン質量分析(ToF-SIMS)測定によっても得た。HRXRDとToF-SIMSデータの結合分析は,InAsNの格子パラメータがVegard則から大きく逸脱することを示唆している。Raman散乱と遠赤外反射率測定は,InAsN合金中へのNの混入を研究するために実行した。N関連局在振動モードをより高いN含有量の試料で検出し,観察した特徴の起源について議論した。InAsN合金の室温バンドギャップエネルギーの組成依存性を研究し,この目的のために光ルミネセンスと光吸収測定を示した。結果をバンド反交差(BAC)モデルで解析し,BACモデル内のInAsNの室温結合パラメータがC_NM=2.0±0.1eVであることを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MBE成長 ,  希薄合金 ,  *インジウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  *構造特性 ,  *光学的性質 ,  ヒ化インジウム ,  基板 ,  キャラクタリゼーション ,  高分解能 ,  X線回折 ,  歪 ,  窒素 ,  含有量 ,  化学組成 ,  二次イオン質量分析 ,  格子定数 ,  Raman散乱 ,  遠赤外線 ,  振動モード ,  室温 ,  光ルミネセンス ,  光吸収スペクトル
準シソーラス用語： Vegard則 ,  バンドギャップエネルギー ,  結晶品質 ,  組成依存性 ,  反射率測定 ,  飛行時間二次イオン質量分析

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子線エピタクシー ,  成長 ,  光学特性