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J-GLOBAL ID:201002265945631127   整理番号:10A1153258

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)薄膜を用いた有機電界効果トランジスタの作製とキャラクタリゼーション

Fabrication and characterization of organic field effect transistors with poly(3-hexylthiophene) thin films
著者 (3件):
資料名:
巻: 118  号: 1383  ページ: 1094-1097 (J-STAGE)  発行年: 2010年 
JST資料番号: F0382A  ISSN: 1882-0743  CODEN: JCSJEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,Au/P3HT/SiO2/n++-Si構造を用いた有機電界効果トランジスタ(OFETs)を作製した。ゾル-ゲル法を用い,クロロホルム(CHCl3)溶媒中の有機ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)の重量濃度を制御して膜厚が異なるP3HT膜を作製した。移動度とオン/オフ電流比の関係はP3HT膜の膜厚に依存することが判明した。P3HT膜の移動度は0.4,0.7および1.0wt%においてそれぞれ1.1,2.2および2.8×10-3[cm2V-1s-1]であった。100°Cから140°Cへの焼鈍温度の上昇に伴い,移動度とオン/オフ電流比はトレードオフの関係であることも観測された。膜厚とデバイス性能の関係を確認するため,各種厚さの表面形態を原子間力顕微鏡(AFM)により走査した。活性層の厚さと共にオン電流が増加することが観測された。これらの結果から,半導体と絶縁体の間の蓄積キャリアは分子充填の程度と分子結合のサイズに強く影響されることが示唆された。(翻訳著者抄録)
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