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J-GLOBAL ID：201002266117878727   整理番号：10A0955473

205GHz(Al,In)N/GaN HEMT

205-GHz (Al,In)N/GaN HEMTs

著者 (8件)： SUN Haifeng (ETH-Zuerich, Zuerich, CHE) ,  ALT Andreas R. (ETH-Zuerich, Zuerich, CHE) ,  BENEDICKTER Hansruedi (ETH-Zuerich, Zuerich, CHE) ,  FELTIN Eric (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  CARLIN Jean-Francois (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  GONSCHOREK Marcus (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  GRANDJEAN Nicolas R. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  BOLOGNESI C. R. (ETH-Zuerich, Zuerich, CHE)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 9  ページ： 957-959  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温での短絡回路電流利得カットオフ周波数が205GHzの55nmゲートAlInN/GaN HEMT(高電子移動度トランジスタ)について報告した。本研究の目的は,ゲートに誘電体負荷がかけられていないAlInN/GaN HEMTの生の性能を特性評価し,100nmより短いチャネル長における電流輸送の優位性を公表されている中で最高速のAlGaN/GaN HEMTと比較することである。本研究で製作したデバイスは,VGS=0Vにおいて2.3mA/mmの最大電流密度を達成し,575mS/mmの相互コンダクタンスが測定された。AlGaN/GaN HEMTとの比較結果は,AlInN/GaNデバイスが高磁場輸送条件において優位的なチャネル速度を持つことを示唆した。

シソーラス用語： *HEMT ,  アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  窒化物 ,  マイクロ波集積回路 ,  半導体材料 ,  遮断周波数 ,  *窒化インジウムアルミニウム ,  ミリ波集積回路 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  カットオフ周波数 ,  ミリ波IC ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： Al ,  GaN ,  HEMT