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J-GLOBAL ID：201002266122208209   整理番号：10A0685281

ナノ結晶シリコンカーバイトにおけるエネルギー消散と欠陥発生

Energy dissipation and defect generation in nanocrystalline silicon carbide

著者 (5件)： GAO F. (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  CHEN D. (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  CHEN D. (Hunan Univ., Changsha, CHN) ,  HU Wangyu (Hunan Univ., Changsha, CHN) ,  WEBER W. J. (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 81  号： 18  ページ： 184101.1-184101.8  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ナノ結晶 ,  *格子欠陥 ,  *エネルギー散逸 ,  *計算機シミュレーション ,  反跳原子 ,  カスケード過程 ,  応力 ,  結晶粒界 ,  粒度依存性 ,  空孔欠陥 ,  格子間原子 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： アンチサイト欠陥 ,  ノックオン原子 ,  局部応力 ,  *分子動力学シミュレーション

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ結晶シリコン ,  カーバイト ,  エネルギー消散 ,  欠陥