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J-GLOBAL ID：201002266150666581   整理番号：10A0580896

InAs(100)面のInAsSbP量子ドットとナノピットの競合核形成機構と成長

Competing nucleation mechanisms and growth of InAsSbP quantum dots and nano-pits on the InAs(100) surface

著者 (4件)： AROUTIOUNIAN V.m. (Dep. of Physics of Semiconductors and Microelectronics, Yerevan State Univ., A. Manoukian str. 1, Yerevan, 0025, Armenia) ,  GAMBARYAN K.m. (Dep. of Physics of Semiconductors and Microelectronics, Yerevan State Univ., A. Manoukian str. 1, Yerevan, 0025, Armenia) ,  SOUKIASSIAN P. (Commissariat a l’Energie Atomique, Lab. SIMA, DSM-IRAMIS-SPCSI, Bat. 462, Centre d’Etudes de Saclay, 91191 Gif sur ...) ,  SOUKIASSIAN P. (Dep. de Physique, Univ. Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, FRA)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 604  号： 13-14  ページ： 1127-1134  発行年： 2010年07月15日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAsSbP量子ドット(QD)とナノピット(NP)を液相エピタクシー(LPE)によってInAs(100)面に成長した。それらの形態,寸法,分布密度を,高分解能走査電子顕微鏡,Fourier変換赤外分光法,X線回折,全エネルギー計算によって研究した。QD平均密度は5~7×10⁹cm^-2の範囲で,高さと幅はそれぞれサイズ5nm~15nmと10nm~40nmのGauss分布を持っている。平均ピット密度は,幅と深さの寸法範囲が5~30nmで(2~6)×10¹⁰cm^-2である。また,これらのQDと横過成長ナノピットがn-InAs/p-InAsSbPヘテロ接合界面で成長することを示すより短波長方向への広がりとともに,より長波長方向への吸収端シフトを見出した。全エネルギー計算とともに,結果は,格子不整合比がこれらの歪誘起ナノオブジェクトの成長で中心的な役割を果たすことを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  *インジウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *アンチモン化物 ,  *リン化物 ,  *量子ドット ,  穴 ,  核形成 ,  ナノ構造 ,  *液相成長 ,  形態 ,  長さ ,  密度 ,  走査電子顕微鏡 ,  FTIR分光法 ,  X線回折 ,  全エネルギー ,  高さ ,  幅 ,  正規分布 ,  深さ ,  ヘテロ接合 ,  界面 ,  吸収端 ,  スペクトルシフト ,  格子不整合 ,  歪
準シソーラス用語： 過成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  量子ドット ,  ピット ,  競合 ,  核形成 ,  成長