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J-GLOBAL ID：201002266193027744   整理番号：10A1141675

SiH₄/CH₄/H₂/N₂ガスからホットワイヤ化学気相堆積により作成した高導電性窒素ドープ水素化ナノ結晶等軸炭化ケイ素薄膜

Highly conductive nitrogen-doped hydrogenated nanocrystalline cubic silicon carbide thin films prepared with a hot-wire chemical vapor deposition from SiH₄/CH₄/H₂/N₂ gas

著者 (3件)： TABATA Akimori (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Nagoya Univ., C3-1(631) Chikusa, Nagoya 464-8603, JPN) ,  HOSHIDE Yoshiki (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Nagoya Univ., C3-1(631) Chikusa, Nagoya 464-8603, JPN) ,  KONDO Akihiro (Center of Innovative Photovoltaic System, Gifu Univ., Yanagido, Gifu 501-1193, JPN)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 175  号： 3  ページ： 201-206  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiH₄/CH₄/H₂/N₂からホットワイヤ化学気相堆積法で窒素ドープ水素化ナノ結晶等軸炭化ケイ素(nc-3C-SiC:H)薄膜を作成して,N₂とH₂ガスの流率が構造と電気特性におよぼす影響を調べた。N₂ガスの流率F(N₂)が増すとN原子の取り込みが増し,nc-3C-SiC:H薄膜の構造秩序の劣化が生じた。200sccmの低H₂ガス流率F(H₂)では,F(N₂)が20sccmまで増加すると伝導率が増加し,さらにF(N₂)が20~50sccmまで増加すると伝導率が劣化した。前者の効果はN原子の取り込みの増加が原因であり,後者の効果は構造秩序の劣化が原因である。1000sccmの高いF(H₂)では,200sccmのF(H₂)の場合に比べて,構造秩序の劣化が低かった。このため,50~150sccmの高F(N₂)でも伝導率が改善された。F(N₂)=100,F(H₂)=1000sccmのとき,5.0S/cmの高い伝導率が実現した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： シラン ,  *化学蒸着 ,  水素 ,  窒素 ,  *ドーピング ,  *水素化 ,  *ナノ結晶 ,  *炭化ケイ素 ,  微細構造 ,  蒸着膜 ,  *電気伝導率 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  アルカン
準シソーラス用語： *ホットワイヤCVD

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (11件)： SiH4 ,  H2 ,  N2 ,  ホットワイヤ ,  化学気相堆積 ,  高導電性 ,  窒素ドープ ,  水素化 ,  ナノ結晶 ,  炭化 ,  ケイ素薄膜