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J-GLOBAL ID：201002266236222678   整理番号：10A0334598

3ポートトランジスタレーザにおける基礎となる電荷動力学の物理

Physics of base charge dynamics in the three port transistor laser

著者 (3件)： THEN H. W. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 W. Green St., Urbana ...) ,  FENG M. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 W. Green St., Urbana ...) ,  HOLONYAK N. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 W. Green St., Urbana ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 11  ページ： 113509  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初期の不完全な電荷制御解析をベースにしたモデルを構築することにより量子井戸(QW)トランジスタレーザ(TL)の基礎となる電荷動力学を解析する。Krchihoff法則を拡張して電気部品と整合した光学部品を含める。マイクロ波測定(分解可能なピコ秒応答)を経て,モデルによりTLベース帯電と関係した物理量が得られ,電流連続性による計算と矛盾しないベースとなるQW電荷密度n_QW=2×10¹⁶cm^-3の取り出しができた。低密度からTLベースにおけるFermi準位不均一性が示唆され,ベースQW電荷レベルは,QWを駆動し電子-正孔の再結合を供給する電流程重要でないことが示される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,  *半導体レーザ ,  電荷 ,  *動力学 ,  モデリング ,  マイクロ波 ,  *電荷分布 ,  *密度
準シソーラス用語： *トランジスタレーザー ,  *電荷密度

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 基礎 ,  電荷動力学 ,  物理