文献

J-GLOBAL ID：201002266403994750   整理番号：10A0387349

マイクロ構造のリリースエッチングの間の選択性および異方性の損失の原因

On the origin of selectivity and anisotropy loss during microstructure release etch

著者 (2件)： GILGUNN P J (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  FEDDER G K (Carnegie Mellon Univ., PA, USA)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 20  号： 3  ページ： 035021,1-17  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS-MEMS製造フローのリリースエッチングの間のSi異方性の損失および障壁金属への選択性の損失の原因をその場赤外線画像化を用いて実験的に調べた。懸垂された種々の面積,厚さ,横方向懸垂断面および懸垂長さの円盤テスト構造を,SF₆/O₂/C₄H₅時分割,Bosh-タイプ,異方性DIREプロセスを用いて種々のバイアス電圧でエッチングした。著しい温度上昇(最大150°C)が,SiリリースエッチングにおいてSF₆ベースの等方性エッチングプロセスの間にのみ観測された,そして選択性と異方性の損失はこのステップでおこったものと考えられる。この不利益な温度上昇の支配的なメカニズムは,等方性エッチングの間のSiF₄およびSiF₂の形成における発熱反応によって放出される熱の吸収によるものである。

シソーラス用語： エッチング ,  *選択性 ,  *異方性 ,  *損失 ,  昇温 ,  フッ化硫黄 ,  発熱反応
準シソーラス用語： ミクロ構造 ,  *リリースエッチング ,  温度上昇 ,  原因 ,  等方性エッチング ,  六フッ化硫黄

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロ構造 ,  異方性 ,  損失 ,  原因