文献

J-GLOBAL ID：201002266438622074   整理番号：10A0826525

XPAD3Sにバンプ接合したCdTeおよびシリコンセンサーの検出量子効率,変調伝達関数およびエネルギー分解能の比較

Detective quantum efficiency, modulation transfer function and energy resolution comparison between CdTe and silicon sensors bump-bonded to XPAD3S

著者 (8件)： MEDJOUBI Kadda (Synchrotron SOLEIL, FRA) ,  BUCAILLE Thierry (Synchrotron SOLEIL, FRA) ,  HUSTACHE Stephanie (Synchrotron SOLEIL, FRA) ,  BERAR Jean-Francois (D2AM-CRG/F, FRA) ,  BOUDET Nathalie (D2AM-CRG/F, FRA) ,  CLEMENS Jean-Claude (CPPM-IN2P3, FRA) ,  DELPIERRE Pierre (CPPM-IN2P3, FRA) ,  DINKESPILER Bernard (CPPM-IN2P3, FRA)
資料名： Journal of Synchrotron Radiation  (Journal of Synchrotron Radiation)
巻： 17  号： 4  ページ： 486-495  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： W0763A  ISSN： 0909-0495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： XPAD3Sは単一光子計数チップであり9600の四角い単一の閾値(4.5~35keV)を持つピクセルからなり,2msのフレームレート,27ビット幅のオーバーフローを許す12ビットの計数器を備えている。チップはシリコンまたはCdTeのセンサーと混成して検出器を構成する。6~35keVのX線により二つの検出器の画像化能を調べた。低エネルギーではシリコンの検出量子効率は吸収法則に従ったがCdTeは大きく不足していた。26keVでは両者の変調伝達関数はピクセルサイズのみに限定された理想的な振舞いを示した。16keVにおけるシリコンでのエネルギー分解能は6%,CdTeでは35keVにおいて8%であった。

シソーラス用語： *光子計数 ,  量子効率 ,  *テルル化カドミウム ,  *ケイ素 ,  *X線検出 ,  光学伝達関数 ,  エネルギー分解能 ,  *性能評価
準シソーラス用語： 変調伝達関数

分類 (1件)： X線技術  (BA02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： バンプ ,  CdTe ,  シリコン ,  センサー ,  量子効率 ,  変調伝達関数 ,  エネルギー分解能