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J-GLOBAL ID：201002266607434398   整理番号：10A0602867

溶液法膜堆積中の液薄膜モルフォロジーの制御

Control of Thin Liquid Film Morphology During Solvent-Assisted Film Deposition

著者 (3件)： EVMENENKO Guennadi (Northwestern Univ., Illinois) ,  STRIPE Benjamin (Northwestern Univ., Illinois) ,  DUTTA Pulak (Northwestern Univ., Illinois)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 26  号： 10  ページ： 7126-7132  発行年： 2010年05月18日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固液界面の厚さ約1000Å未満の液体薄膜のモルフォロジーを左右する要素の一端を研究した。シリコン(100)面をPiranha洗浄,HFでヒドロキシル化,水素で不動態化してヘキサン溶液に浸し,3種類のテトラキスアルコキシシラン(ケイ酸エステル)を付着させた。アルコキシル基は2-エチルヘキソキシル,メトキシエトキシエトキシル,ブトキシエトキシエトキシルである。膜厚は濃度と基板抜出し速度で変えられる。水の前進接触角,X線反射率の測定によると,液膜構造のモルフォロジーはvan der Waals力,エステルと表面酸化物との静電相互作用による引力だけでなく基板表面の改質や液膜-溶液相互作用の調整で制御できる。液体分子の立体配座と固液界面での再配列とが溶液法膜堆積の調節に重要である。液膜の脱濡れは膜堆積時の平衡条件の調整で防止できる。

シソーラス用語： *液膜 ,  *薄膜 ,  *固液界面 ,  濡れ ,  溶液成長 ,  薄膜成長 ,  解析 ,  化学平衡 ,  変化 ,  モルフォロジー ,  再編成 ,  van der Waals力 ,  引力 ,  静電相互作用 ,  表面改質 ,  立体配座 ,  接触角 ,  反射率 ,  *無機酸エステル ,  *ケイ素 ,  *制御
準シソーラス用語： X線反射率 ,  *アルコキシシラン ,  エネルギー解析 ,  化学溶液堆積 ,  化学溶液法 ,  *構造制御 ,  構造変化 ,  再組織化

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液 ,  堆積 ,  液 ,  薄膜 ,  モルフォロジー