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J-GLOBAL ID：201002266806061053   整理番号：10A0982658

電子ビーム蒸着法によってAlテープ基板上に作製したMgB₂薄膜の輸送特性

著者 (5件)： 米倉健志 (熊本大) ,  藤吉孝則 (熊本大) ,  末吉哲郎 (熊本大) ,  土井俊哉 (鹿児島大 大学院理工学研究科) ,  西川隆文 (鹿児島大 大学院理工学研究科)
資料名： 熊大極低温  (熊本大学衝撃・極限環境研究センター極低温ユーザー研究報告書)
号： 20  ページ： 19-24  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： L6084A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子ビーム蒸着(EBE)法により作製された超伝導薄膜であるMgB₂薄膜においては,磁場中に急激に臨界電流密度(J_c)が低下する問題がある。そこでAlテープ上へのEBE法によるMgB₂薄膜作製を検討した。10Kては全磁場領域で,SiやAl₂O₃基板よりもJ_cが高くなり,20Kでは低磁場領域ではSi基板と同程度であった。しかし4T以上ではSi基板の方がJ_cは高かった。また化学量論的にB過剰では,J_cが高く,BがMg欠損またはMgサイトに作用してビンニング中心を形成し,巨視的ピン力密度のスケーリングから,これが結晶粒界以外のピン止め中心であることが示唆された。

シソーラス用語： *電子ビーム蒸着 ,  *基板 ,  *アルミニウム ,  *ホウ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  蒸着膜 ,  *超伝導薄膜 ,  *臨界電流密度 ,  磁束ピン止め ,  化学量論 ,  ケイ素 ,  アルミナ ,  *磁場効果

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子ビーム蒸着 ,  Al ,  テープ ,  作製 ,  MgB2 ,  薄膜 ,  輸送特性