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J-GLOBAL ID：201002266868764956   整理番号：10A0510984

神経様システムのシナプシスとしてのナノスケールメモリスタ素子

Nanoscale Memristor Device as Synapse in Neuromorphic Systems

著者 (6件)： JO Sung Hyun (Univ. Michigan, Michigan) ,  CHANG Ting (Univ. Michigan, Michigan) ,  EBONG Idongesit (Univ. Michigan, Michigan) ,  BHADVIYA Bhavitavya B. (Univ. Michigan, Michigan) ,  MAZUMDER Pinaki (Univ. Michigan, Michigan) ,  LU Wei (Univ. Michigan, Michigan)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 4  ページ： 1297-1301  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS(ニューロン)とメモリスタ(シナプシス)の組合せによる神経系モデルを試作し,動作特性を調べた。メモリスタは銀/ケイ素濃度勾配共スパッタ膜を活性層とし,電位またはフラックスにより高導電性/低導電性境界が移動してコンダクタンスが制御される。本モデルはスパイクタイミングに依存した可塑性など,神経系の特徴を再現できることを確かめた。メモリスタの採用により高密度および高連結性が達成できた。

シソーラス用語： *ニューラルネットワーク ,  ニューロン ,  半導体 ,  *対合 ,  *可変抵抗器 ,  *記憶装置 ,  ナノ構造 ,  特性 ,  銀 ,  ケイ素 ,  同時蒸着 ,  濃度勾配 ,  活性層 ,  依存性 ,  コンダクタンス ,  導電性 ,  電気抵抗 ,  *神経生理 ,  神経可塑性 ,  CMOS
準シソーラス用語： アナログメモリ ,  *シナプシス ,  スパイクタイミング依存シナプス可塑性 ,  *メモリスタ ,  共蒸着 ,  *神経モデル ,  電位依存性 ,  動作特性

分類 (3件)： 脳・神経系モデル  (EL02050C) ,  論理回路  (NC05070B) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I)

タイトルに関連する用語 (2件)： 神経 ,  シナプシス