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J-GLOBAL ID：201002267012889452   整理番号：10A0955507

積層コリメーションゲート電極を持つモールドされたモリブデンナノ先端アレイの電界放出特性

Field-Emission Characteristics of Molded Molybdenum Nanotip Arrays With Stacked Collimation Gate Electrodes

著者 (6件)： TSUJINO Soichiro (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  HELFENSTEIN Patrick (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  KIRK Eugenie (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  VOGEL Thomas (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  ESCHER Conrad (Univ. Zuerich, Zuerich, CHE) ,  FINK Hans-Werner (Univ. Zuerich, Zuerich, CHE)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 9  ページ： 1059-1061  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子抽出ゲート電極上にコリメーションゲート電極を積層したダブルゲート電界放出アレイ(FEA)カソードは,サブナノメータ波長の小型自由電子レーザのカソード用として期待されている。本稿では,ゲート開口部形状最適化によるダブルゲートFEAsの電界放出電流電圧特性の改良について報告した。開口部サイズを改良することにより,電界放出電子ビームを直線化し,同時にプレーナエンドプレーンを持つ積層ゲート電極を持つダブルゲートFEAsの放出電流減少を最小化することが可能なことを示した。このデバイス構造は,高輝度カソードアーキテクチャ用として期待される。

シソーラス用語： 積層構造 ,  *コリメーション ,  電極 ,  ゲート【半導体】 ,  電界放出 ,  カソード ,  *自由電子レーザ ,  電流電圧特性 ,  *電界放出アレイ ,  開口部
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  ダブルゲート

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (6件)： コリメーション ,  ゲート電極 ,  モールド ,  モリブデン ,  アレイ ,  電界放出