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J-GLOBAL ID：201002267551278556   整理番号：10A1250039

絶縁体層表面上に作られた高性能ナノスケール・トランジスタ用極薄化合物半導体

Ultrathin compound semiconductor on insulator layers for high-performance nanoscale transistors

著者 (25件)： KO Hyunhyub (Univ. California, California, USA) ,  TAKEI Kuniharu (Univ. California, California, USA) ,  KAPADIA Rehan (Univ. California, California, USA) ,  CHUANG Steven (Univ. California, California, USA) ,  FANG Hui (Univ. California, California, USA) ,  LEU Paul W. (Univ. California, California, USA) ,  GANAPATHI Kartik (Univ. California, California, USA) ,  MADSEN Morten (Univ. California, California, USA) ,  FORD Alexandra C. (Univ. California, California, USA) ,  SALAHUDDIN Sayeef (Univ. California, California, USA) ,  JAVEY Ali (Univ. California, California, USA) ,  KO Hyunhyub (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  TAKEI Kuniharu (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  KAPADIA Rehan (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  CHUANG Steven (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  FANG Hui (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  LEU Paul W. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  MADSEN Morten (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  FORD Alexandra C. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  JAVEY Ali (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  CHEN Szu-Ying (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHUEH Yu-Lun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  PLIS Elena (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  KIM Ha Sul (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  KRISHNA Sanjay (Univ. New Mexico, New Mexico, USA)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 468  号： 7321  ページ： 286-289  発行年： 2010年11月11日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)電子デバイスには固有のスケーリング限界があることから,デバイス性能をさらに向上させるために,キャリア移動度の高い代替半導体の探索が過去数年にわたって盛んになってきている。特に,Si基板上に異種集積された化合物半導体については研究が活発化してきた。このようなデバイスでは,III-V族半導体の高い移動度と十分確立された低コストのSi加工技術が組み合わされている。しかし,このような集積化には大きな難問がある。これまでに,Si上の複合多層膜のヘテロエピタキシャル成長が調べられたが,複雑さに加えて,高い欠陥密度と接合リーク電流がこの方法の制限要因となっている。今回,この難問をきっかけとして,エピタキシャル転写法を用いてSi/SiO₂基板上に単結晶InAs超薄層を集積化した。我々は,シリコン・オン・インシュレーター(SOI)技術と並ぶものとして「XOI」を使って,この化合物半導体オン・インシュレーター基盤技術を実現した。実験とシミュレーションによって,InAs XOIトランジスタの電気的特性を調べ,XOI超薄層の輸送特性における量子閉じ込めの重要な役割を解明している。重要なのは,熱成長させた新しい界面層InAsO_x層(厚さ約1nm)の使用によって高品質InAs/誘電体界面が得られることである。作製された電界効果トランジスタは,0.5Vのドレイン-ソース間電圧で相互コンダクタンスが約1.6mSμm^-1というピーク値を示し,オン/オフ電流比は10,000を超える。Copyright Nature Publishing Group 2010

シソーラス用語： *長さ ,  *素子構造 ,  単結晶 ,  *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  超薄膜 ,  *量子閉込め ,  相互コンダクタンス ,  *FET【トランジスタ】 ,  比率 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： XOI構造 ,  オンオフ比 ,  *ナノスケール ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 絶縁体層 ,  高性能 ,  ナノスケール ,  トランジスタ ,  化合物半導体