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J-GLOBAL ID：201002267661378718   整理番号：10A0942969

Al-またはLa-キャップ高κ金属ゲートスタックにおける化学元素の分布

The distribution of chemical elements in Al- or La-capped high-κ metal gate stacks

著者 (10件)： BOSMAN M. (Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol., and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore 117685) ,  ZHANG Y. (Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol., and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore 117685) ,  CHENG C. K. (Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol., and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore 117685) ,  LI X. (Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol., and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore 117685) ,  WU X. (Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol., and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore 117685) ,  PEY K. L. (Div. of Microelectronics, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., Nanyang ...) ,  LIN C. T. (UMC, 3, Li-Hsin Road II, Hsinchu Sci. Park, Hsinchu City 30077, Taiwan) ,  CHEN Y. W. (UMC, 3, Li-Hsin Road II, Hsinchu Sci. Park, Hsinchu City 30077, Taiwan) ,  HSU S. H. (UMC, 3, Li-Hsin Road II, Hsinchu Sci. Park, Hsinchu City 30077, Taiwan) ,  HSU C. H. (UMC, 3, Li-Hsin Road II, Hsinchu Sci. Park, Hsinchu City 30077, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 10  ページ： 103504  発行年： 2010年09月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学元素の空間分布を,電界効果トランジスタにおいて応用された高κ,金属ゲートスタックにおいて研究した。透過型電子顕微鏡(TEM)ベース分析技術,電子エネルギー損失分光(EELS)及びエネルギー分散X線分光を用いて,Al₂O₃とLa₂O₃キャッピング層が明確に異なる拡散プロファイルを示すことを実証した。EELS収集角の重要性を議論した。Laリッチ界面層を仮定する,一般的な化学分布モデルを拒否した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  保護膜 ,  *アルミニウム ,  *ランタン ,  FET【トランジスタ】 ,  *元素 ,  空間分布 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  エネルギー分散X線分光分析
準シソーラス用語： *キャップ層 ,  *ゲートスタック ,  化学元素 ,  *金属ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  電子エネルギー損失分光

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al ,  La ,  キャップ ,  金属ゲート ,  スタック ,  化学元素 ,  分布