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J-GLOBAL ID：201002267811028478   整理番号：10A0336721

半導体次世代絶縁膜形成技術の開発-BCD(Balance Controlled Deposition)成膜技術-

著者 (5件)： 高澤裕真 (日立国際電気) ,  廣瀬義朗 (日立国際電気) ,  柄澤元 (日立国際電気) ,  鎌倉司 (日立国際電気) ,  赤江尚徳 (日立国際電気)
資料名： 日立国際電気技報  (Hitachi Kokusai Electric Technology Journal)
号： 10  ページ： 07-11  発行年： 2010年03月19日 
JST資料番号： X0673B  ISSN： 1346-5953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代半導体デバイスでは,高集積化・高性能化をさらに進展させるため,より微細な構造に良好な被覆性で,より低温で,高品質な絶縁膜を形成する技術が求められている。また,より低コストでデバイスを提供するため,生産性の高いプロセスが必須となっている。これらの課題を克服すべく,当社は,新規な成膜技術を開発することにより,被覆性よく,比較的低温で,膜質の高い絶縁膜を形成するプロセスを実現した。さらに,この技術により,成膜の組成比制御も実現できることから,次世代のメモリやロジック・デバイスの課題の多くが解決されると期待されている。当社では,この技術をBCD(Balance Controlled Deposition)成膜技術と呼び,次世代デバイス製造工程への適用を期待している。(著者抄録)

シソーラス用語： *絶縁膜 ,  *薄膜成長 ,  二酸化ケイ素 ,  *不純物濃度
準シソーラス用語： 成膜

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (2件)：

• 杉井:「微細CMOSトランジスタ技術」、EDリサーチ社、p.35(2008)
• 米満、水野、境、宮、須田:「日立国際電気技報」、No.6, p.72(2005)

タイトルに関連する用語 (5件)： 次世代 ,  絶縁膜 ,  開発 ,  BALANCE ,  成膜