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J-GLOBAL ID：201002268056488133   整理番号：10A1021728

チタン酸ストロンチウム及びチタン酸バリウムバッファー層を持つ相変化メモリ素子の改善された性能

Improved Performance of Phase Change Memory Cell with Strontium Titanate and Barium Titanate Buffer Layer

著者 (5件)： SHANG Fei (Tongji Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHAI Jiwei (Tongji Univ., Shanghai, CHN) ,  SONG Sannian (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Shanghai, CHN) ,  SONG Zhitang (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Shanghai, CHN) ,  WANG Changzhou (Tongji Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 9,Issue 1  ページ： 094202.1-094202.5  発行年： 2010年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrTiO₃(STO)またはBaTiO₃(BTO)バッファー層をもつ,T型相変化メモリ(PCM)素子が作成され,特性が評価された。通常のT型PCM素子と比較して,BTO及びSTOをバッファー層として用いて,50nsのパルス幅で,リセット電圧はそれぞれ28及び38%減少した。熱抵抗計算の結果によれば,PCM素子の全体の熱抵抗は,BTO(STO)層を挿入することによって著しく増加する,そのことは効率的に散逸力を減少し,結果としてリセット電圧を減少させた。PCM素子の抵抗-電圧特性と併せて,BTO及びSTO薄膜の電流-電圧特性はBTO薄膜がSTO薄膜よりもバッファー層としてより適当であることを示している。リセット過程に対する理論的な熱シミュレーショが,PCM素子の性能改善に対するバッファー層の効果を理解するために行われた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *チタン酸バリウム ,  *バッファ層 ,  *熱抵抗 ,  電流電圧特性 ,  計算機シミュレーション ,  動作 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： *相変化メモリ ,  リセット

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (23件)：

• M. Mansuripur: Proc. SPIE 4109(2000)162.
• S. R. Ovshinsky: Phys. Rev. Lett.21(1968)1450.
• S. Tyson, G. Wicker, T. Lowrey, S. Hudgens, and K. Hunt: Proc. IEEE Aerospace Conf., 2000, Vol.5, p. 385.
• M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. Wolter: Nat. Mater.4(2005)347.
• S. Hudgens and B. Johnson: MRS Bull.29(2004) No.11, 829.

タイトルに関連する用語 (5件)： チタン酸ストロンチウム ,  チタン酸バリウム ,  バッファー層 ,  相変化 ,  メモリ素子