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J-GLOBAL ID：201002268188889692   整理番号：10A0918569

低温成長におけるGe/Siヘテロ構造の局所混合

Local intermixing on Ge/Si heterostructures at low temperature growth

著者 (4件)： CHENG H. H. (Center for Condensed Matter Sciences and Graduate Inst. of Electronics Engineering, National Taiwan Univ., 1 ...) ,  HUANG W. P. (Center for Condensed Matter Sciences and Graduate Inst. of Electronics Engineering, National Taiwan Univ., 1 ...) ,  MASHANOV V. I. (Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sciences, Siberian Branch, Novosibirsk 630090, RUS) ,  SUN G. (Dep. of Physics, Univ. of Massachusetts-Boston, Boston, Massachusetts 02125, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 4  ページ： 044314  発行年： 2010年08月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温(260°C)で成長した様々なGe厚み(ナノメートルオーダー)の一連の歪Ge/Siヘテロ構造に関する実験研究を報告した。薄いGe層を持つ構造のGe/Si界面の従来の均一混合に加えて,パターン構造を特徴とする局所混合を厚いGe層の構造で観察した。パターンはGe層の下に島状に形成し,Ge濃度依存プロフィールを表す。分析から,成長温度とGe層中に蓄えられた歪エネルギーが観察で支配的役割を果たすことが判明した。従来の高温成長に比べて,本研究は,自己集合プロセスが低成長温度で抑制されて,混合が歪緩和で支配的役割を果たすことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 結晶成長 ,  *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  素子構造 ,  *混合 ,  歪 ,  薄膜 ,  界面 ,  パターン形成 ,  厚膜 ,  島状構造 ,  濃度依存性 ,  エネルギー ,  高温 ,  自己集合 ,  緩和現象
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  成長温度 ,  低温成長 ,  歪緩和

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温成長 ,  Ge ,  Si ,  ヘテロ構造