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J-GLOBAL ID：201002268277012834   整理番号：10A0220953

Si(110)基板上のSiGeチャネルpMOSFETの高いGe含有量

High Ge Content of SiGe Channel pMOSFETs on Si (110) Surfaces

著者 (5件)： LEE M. H. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  CHANG S. T. (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  MAIKAP S. (Chang Gung Univ., Taoyuan City, TWN) ,  PENG C.-Y. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LEE C.-H. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 2  ページ： 141-143  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直接Si(110)表面に作製したSi_0.2Ge_0.8チャネルPFETの特性について検討した。Si_0.2Ge_0.8(110)PFETの飽和ドレイン電流と正孔移動度をバルクSi(110)PFETと比較して,この(110)チャネルの場合には,それぞれ,70%と80%増大した。Si(100)PFETとの比較では,SiGe〈110〉/(110)PFETは約200%の正孔移動度の増大を示した。このSiGe〈110〉/(110)と〈100〉/(110)のPFETの性能の相違は,移動度を考慮すれば約2.7倍である。この高いGe含有量のSiGe PFETには,微細化CMOS技術の今後の世代における応用におおきな期待がかけられる。

シソーラス用語： 結晶方位 ,  *キャリア移動度 ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  ゲルマニウム合金 ,  ケイ素含有合金 ,  *MOSFET ,  *P型半導体 ,  MOS構造 ,  歪層超格子 ,  Ramanスペクトル ,  電流電圧特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  SiGe ,  チャネル ,  pMOSFET ,  Ge ,  含有量