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J-GLOBAL ID：201002268337019060   整理番号：10A0208275

ねじれたグラフェン層におけるVan Hove特異点の観測

Observation of Van Hove singularities in twisted graphene layers

著者 (7件)： LI Guohong (Rutgers Univ., New Jersey, USA) ,  LUICAN A. (Rutgers Univ., New Jersey, USA) ,  LOPES DOS SANTOS J. M. B. (Universidade do Porto, Porto, PRT) ,  CASTRO NETO A. H. (Boston Univ., Massachusetts, USA) ,  REINA A. (MIT, Massachusetts, USA) ,  KONG J. (MIT, Massachusetts, USA) ,  ANDREI E. Y. (Rutgers Univ., New Jersey, USA)
資料名： Nature Physics  (Nature Physics)
巻： 6  号： 2  ページ： 109-113  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W2060A  ISSN： 1745-2473  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 状態密度における二つの顕著なピークとして見られるねじれたグラフェン層における低エネルギーVan Hove特異点(VHS)の観測について報告する。積層したグラフェン間に回転を導入することによりゲート調整によって達成できるFermiエネルギーの範囲内にあるVHSを導入できることを示した。ここで研究した試料は意図的にソープしないので,FermiエネルギーはDirac点の数ミリ電子ボルト内に位置する。走査トンネル分光法を用いることにより回転が状態密度を顕著に変更することを見出した。VHSがFermiエネルギーに接近するとき,VHS間の波動ベクトル間隔に対応する強く局在化した電荷密度波を見出した。これは,グラフェンにおいて相関した電子位相を導入し,探求するための機会を開いている。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *特異点 ,  *トンネル分光法 ,  *ねじり ,  *積層構造 ,  Fermi準位 ,  電荷密度波 ,  *半導体 ,  *グラフェン ,  走査トンネル電子分光法
準シソーラス用語： *van Hove特異点 ,  走査トンネル分光法 ,  Fermiエネルギー

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  VAN ,  特異点 ,  観測