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J-GLOBAL ID：201002268517039255   整理番号：10A0312681

自由保持された金属島を経由するCoulomb制御一電子電界放出

Coulomb-Controlled Single Electron Field Emission via a Freely Suspended Metallic Island

著者 (4件)： KIM Chulki (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin) ,  KIM Hyun S. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin) ,  QIN Hua (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin) ,  BLICK Robert H. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 2  ページ： 615-619  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エミッタ(カソード),コレクタ(アノード),およびゲート金電極に囲まれた空間にテフロンにより固定された遊離金粒子(<100nm)からなるセルをSOI基板上に作製した。金粒子による電界放出(FE)電流が薄いトンネル障壁によりCoulomb遮断(CB)されることを見出した。第三の電極をゲートとしてCoulombエネルギーの段階変化を観測した。77KにおいてFEおよびCBを確認し,Raichevの理論モデルと実験のよい一致を得た。電界放出ディスプレイおよび一電子電界放出への応用を示唆した。

シソーラス用語： *電界放出 ,  金電極 ,  *電極 ,  コレクタ【半導体】 ,  ナノ粒子 ,  *電子放出 ,  Coulomb相互作用 ,  Coulomb障壁 ,  ポリテトラフルオロエチレン ,  SOI構造 ,  ポテンシャル障壁 ,  エネルギー準位 ,  *フラットパネルディスプレイ
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  テフロン ,  トンネル障壁 ,  金ナノ粒子 ,  *電界エミッタ ,  *電界放出ディスプレイ ,  電子コレクタ ,  *一電子放出

分類 (3件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  表示機器  (NC06030Q) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金 ,  Coulomb ,  電子 ,  電界放出